在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。
它们在高效硬开关拓扑中具有卓越的鲁棒性，使其成为实现千瓦级电源解决方案的功率因数校正 (PFC) 级的理想选择。而且，由于支持更高的开关频率，更小的磁性元件成为一种选择，为许多设计带来可喜的体积减小。
天下没有的午餐 虽然好处很多，但仅仅通过将SiC MOSFET放入去除硅等效物留下的间隙中并不能实现这些好处。工程师需要花时间了解它们的特征，以充分利用变革，同时还要了解它们不同的局限性和故障模式。CoolSiC? 器件中体二极管的正向电压是硅 MOSFET 的四倍。因此，LLC 转换器在轻负载时效率可能会下降 0.5%。PFC 拓扑的高效率还可以通过通道而不是体二极管升压来实现。
在工作温度下，导通电阻与硅相当 一个关键的比较参数是导通电阻 RDS(on)。硅 MOSFET 表面上看起来比 SiC 更好，但由于其倍增系数 (κ) 较低，84 mΩ CoolSiC? 器件在 100°C 下可实现与 57 mΩ CoolMOS? 器件相同的 RDS(on)（图 1）。CoolSiC 还提供比硅 MOSFET 更高的击穿电压 V(BR)DSS，这对于在低温环境下启动的应用非常有用。
图 1：Cool-SiC? 的温度对 RDS(on) 的影响低于 CoolMOS?，因此在典型工作温度下具有相似的导通电阻。
EiceDRIVER? 系列仍然是 CoolSiC? MOSFET 的理想伴侣。然而，为了实现数据表中定义的低 RDS(on)，需要 18V 的栅极电压 (VGS)，而不是硅 MOSFET 的典型 12V。如果选择新的栅极驱动器，值得选择具有 13 V 欠压锁定功能的栅极驱动器，以确保目标应用异常条件下的安全运行。SiC 的另一个优点是温度对 25 °C 至 150 °C 之间传输特性的影响有限（图 2）。
避免负栅极电压 负栅极电压可能会导致 SiC MOSFET 的长期退化，从而导致潜在故障。因此，设计工程师应确保 VGS 不会在超过 15 ns 的时间内降至 -2 V 以下。如果发生这种情况，可能会导致栅极阈值电压 (VGS(th)) 发生漂移，从而在应用的整个生命周期内增加 RDS(on)。终，这会导致来之不易的系统效率提升下降，而这正是许多情况下选择 SiC 的关键原因。
图 2：25°C（左）和 150°C（右）的传输特性对 SiC 器件的影响明显低于硅 MOSFET。
高值电阻器通常与硅 MOSFET 一起使用，以对抗负 VGS，从而减慢 di/dt 和 dv/dt。然而，对于 SiC 器件，方法是在栅极和源极之间插入二极管电压钳位。如果负电压纯粹是电感问题，强烈建议选择具有开尔文源的 CoolSiC? 器件。这可能导致 EON 损耗比没有它的设备低三倍（图 3）。
图 3：为了避免 SiC MOSFET 的栅极变为负值，应考虑二极管钳位、单独的公共端和开尔文源。
效率超过 99% CoolSiC? MOSFET 的另一个优势是在漏极-源极电压 VDS 高于 50V 左右时具有更高的输出电容 COSS。这可以降低过冲水平，而无需实现栅极电阻。SiC 技术的 QOSS 行为也有利于硬谐振开关拓扑，因为需要更少的放电，这会影响 CCM 图腾柱 PFC 中的 Eon 损耗。使用 48 mΩ 器件，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS? 的效率峰值可达 98.85%。而且，尽管 SiC MOSFET 的成本较高，但基于 SiC 的设计更具成本竞争力。
图 4：即使是 107 mΩ CoolSiC CCM 图腾柱 PFC 的效率也接近 99%，基本上优于的 CoolMOS? 双升压 PFC 方法。
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