南大光电ArF光刻胶产品取得逻辑芯片制造企业55nm技术节点认证突破

日期:2021-06-01        来源:互联网
核心提示:6月1日,南大光电发布公告称,公司控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的ArF光刻胶产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破。

6月1日,南大光电发布公告称,公司控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的ArF光刻胶产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破。

认证评估结果显示,本次认证系选择客户55nm技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证,宁波南大光电研发的ArF光刻胶的测试良率结果符合要求,表明其具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

 

 

据披露,ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料,可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、存储芯片、AI芯片、5G芯片和云计算芯片等)。

ArF光刻胶的市场前景好于预期。随着国内IC行业的快速发展,自主创新和国产化步伐的加快,以及先进制程工艺的应用,将大大拉动光刻胶的用量。

南大光电指出,ArF光刻胶产品与本次认证通过的客户之间的产品销售与服务协议尚在协商之中。ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善,这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。

 
 
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