ROHM的SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵型丰厚,且支撑轿车电子产品可靠性规范AEC-Q101

日期:2022-12-21      作者:rohm官网    来源:rohm官网
核心提示:2019年3月21日※2018年7月5日現在 ローム調べ<概要>全球闻名半导体系造商ROHM(总部坐落日本京都)面向车载充电器和DC/DC转化

2019年3月21日

※2018年7月5日現在 ローム調べ

<概要>

package

全球闻名半导体系造商ROHM(总部坐落日本京都)面向车载充电器和DC/DC转化器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支撑轿车电子产品牢靠性规范AEC-Q101※2),并且产品阵型丰厚,具有13个机型。
ROHM于2010年在全球首先成功完成SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件范畴,ROHM一向在推进先进的产品开发和量产体系构建。在需求不断扩大的车载商场,ROHM也及时树立车载质量,并于2012年开端供给车载充电器用的SiC肖特基势垒二极管(SBD)※4)、于2017年开端供给车载充电器和DC/DC转化器用的SiC MOSFET。
此次新添加的10个机型是选用沟槽栅极结构※5)、并支撑车载使用的SiC MOSFET,产品已于2018年12月开端以月产50万个的规划开端量产(样品价格:500~5,000日元/个,不含税。※详细价格因产品而异)。前期工序的出产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈),后期工序的出产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

<布景>

近年来,跟着环保认识的进步和燃油价格的飙升,电动轿车的商场需求不断添加。而另一方面,尽管电动轿车(EV)日渐遍及,但是续航间隔短一向是亟需处理的课题之一。为了延伸续航间隔,所装备电池的容量呈日益添加趋势,与此同时,还要求缩短充电时刻。而要想完成这些方针,就需求更高输出且更高功率的车载充电器(11kW、22kW等),选用SiC MOSFET的使用越来越多。别的,以欧洲为中心,所装备电池的电压也呈日渐增高趋势(800V),这就需求更高耐压且更低损耗的功率元器件。
为了满意这些商场需求,ROHM一向在加强满意轿车电子产品牢靠性规范AEC-Q101的产品阵型,加上此次新增的产品,ROHM施行量产的SiC SBD和SiC MOSFET已达到34个机型,具有傲人的阵型。在SiC MOSFET范畴,具有650V、1200V耐压的产品阵型,可为客户供给先进的处理方案。

自创建以来,ROHM一向秉承“质量榜首”的企业宗旨,选用从开发到制作悉数在集团内进行的“笔直统合型”体系,在所有的流程中严厉遵循高质量理念,并活跃树立实在牢靠的可追溯体系,优化供给链。针对SiC功率元器件产品,也树立了从晶圆到封装在集团内部出产的一条龙出产体系,消除了出产过程中的瓶颈,完成高质量和高牢靠性。
未来,ROHM将尽力进一步进步质量,并持续强大元器件功能更高的产品阵型,为使用的小型化、低功耗化贡献力量。

<产品阵型>

产品类型
(栅极结构)产品名VDS
(V)导通电阻
(typ.)(mΩ)ID
(A)PD
(W)作业温度规模
(℃)封装支撑规范
第3代
(沟槽栅极结构)

SCT3017ALHR
65017118427-55~+175TO-247NAEC-Q101

SCT3022ALHR
2293339
SCT3030ALHR3070262

SCT3060ALHR
6039165

SCT3080ALHR
8030134

SCT3120ALHR
12021103

SCT3022KLHR
12002295427

SCT3030KLHR
3072339
SCT3040KLHR4055262

SCT3080KLHR
8031165

SCT3105KLHR
10524134

SCT3160KLHR
16017103
第2代
(平面栅极结构)
SCT2080KEHR12008040262

<ROHM的SiC功率元器件开发前史>

ROHM的SiC功率元器件开发前史

<ROHM的优势--笔直统合型出产体系>

ROHM的优势--笔直统合型出产体系

<适用使用示意图>

适用使用示意图

<术语说明>

*1)DC/DC转化器
将直流电压转化为作业所需的电源电压的转化器。
*2)轿车电子产品牢靠性规范AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型轿车制作商和美国大型电子元器件制作商联手拟定的轿车电子元器件的牢靠性规范。Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)拟定的规范。
*3)MOSFET(metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的简称)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构,用作开关元件。
*4)肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode:SBD)
使用金属与和半导体触摸构成肖特基结、然后取得整流性(二极管特性)的二极管。没有少量载流子存储效应,具有优异的高速特性。
*5)沟槽栅极结构
沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片外表构成凹槽,并在其侧壁构成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更简单完成微细化,有望完成挨近SiC资料本来功能的导通电阻。